千辉东 助理研究员

千辉东，男，1993年出生，吉林延吉人，特聘副研究员，2025年开始在杭州电子科技大学工作，主要研究方向为永磁材料。目前发表SCI论文40余篇，其中以第一作者身份发表论文12篇，包括Scripta Materialia、JMR&T、Journal of Alloys and Compounds等。

2012-2016 大连理工大学

2012-2014 物理与光电工程学院 物理专业

2014-2016 材料科学与工程学院 材料物理专业 本科

2016-2022 韩国材料研究院KIMS（韩国）

2016-2017 磁性粉末研究室（韩国）研修生

2017-2022 磁性粉末研究室（韩国）联合培养研究生

2022-2022 磁性粉末研究室（韩国）访问专家

2017-2022 釜山大学（韩国）

2017-2022 材料科学与工程学院 金属材料专业 硕博连读研究生

2022-2025 北京大学

2022-2025 物理学院 凝聚态物理与材料物理研究所 全职博士后

2022-2025 物理学院 应用磁学中心 全职博士后

2025-至今 杭州电子科技大学

2025-至今 材料与环境工程学院 特聘副研究员

(1) Qian, H. D., Lim, J. T., Kim, J. W., Yang, Y., Cho, K. M., Park, J., Choi, C. J.; Phase transformation and magnetic properties of fully dense Sm(Fe0.8Co0.2)11Ti bulk magnets, Scripta Materialia 2021, 193 17-21

(2) Qian, H. D., Lim, J. T., Kim, J. W., Yang, Y., Zhou, T. H., An, S. Y., Jeon, H. K., Cho, K. M., Park, J., Choi, C. J.; Crystallization and magnetic properties of ThMn12-type Sm-Fe-Co-Ti-Si based magnetic materials, Journal of Materials Research and Technology-Jmr&T 2022, 16 1458-1465

(3) Qian, H. D., Shen, P., Fan, S. H., Liang, D., Zhu, T., Gao, Q., Lin, Z. C., Yang, W. Y., Han, J. Z., Luo, Z. C., Du, H. L., Wang, C. S., Liu, S. Q., Xia, W. X., Choi, C. J., Park, J. H., Yang, J. B.; Strategy for optimizing the performance of ThMn12-type Sm(Fe0.8Co0.2)11Ti magnets, Journal of Alloys and Compounds 2025, 1017 178995

(4) Qian, H. D., Xing, M. Y., Han, J. Z., Liang, D., Lin, Z. C., Wang, Y. Q., Liu, F. Q., Zhang, P. Y., Zhu, T., Tian, G., Xu, Q., Fang, C. Q., Liu, S. Q., Yang, W. Y., Niu, E., Cai, D. Y., Rao, X. L., Yang, J. B., Yang, Y. C.; Effects of hydrogen pretreatment on the nitridation, microstructure, and magnetic properties of Sm2Fe17N3, Journal of Alloys and Compounds 2025, 1011 178352

(5) Qian, H. D., Lim, J. T., Kim, J. W., Yang, Y., Zhou, T. H., Jeon, H. K., Park, J., Choi, C. J.; Physical and Magnetic Properties of ThMn12-Type Sm(Fe0.8Co0.2)10Si2 Melt-Spun Ribbons, Metals 2022, 12(5): 753

(6) Qian, H. D., Lim, J. T., Park, J., Choi, C. J.; Enhanced Magnetic Properties of Fe Based Alloy with ThMn12 Structure by Addition of Non-Magnetic Phase, Journal of the Korean Magnetics Society 2020, 30(3): 80-84

(7) Qian, H. D., Yang, Y., Lim, J. T., Kim, J. W., Choi, C. J., Park, J.; Effects of Mg and Sb Substitution on the Magnetic Properties of Magnetic Field Annealed MnBi Alloys, Nanomaterials 2020, 10(11): 2265

(8) Qian, H. D., Wang, F. G., Liang, D., Lin, Z. C., Han, J. Z., Yang, J. B.; Recent Progress in Iron Rich Rare Earth Intermetallics for Permanent Magnetic Materials, Journal of the Chinese Society of Rare Earths 2023, 41(3): 439-453

(9) Qian, H. D., Park, J., Lim, J. T., Yang, Y., Si, P. Z., Kim, J. W., Choi, C. J., Cho, K. M.; Magnetic properties of MnBi bulk magnets with NaCl and C addition, Aip Advances 2019, 9(11): 115213

(10) Qian, H. D., Si, P. Z., Park, J., Cho, K. M., Choi, C. J.; Structure and Magnetic Properties of Nanocrystalline MnAl-C Prepared by Solid-State Reaction and High-Pressure Compaction, Journal of Electronic Materials 2019, 48(3): 1395-1399

(11) Qian, H. D., Si, P. Z., Lim, J. T., Kim, J. W., Park, J., Choi, C. J.; Magnetic properties of Mn54Al46C2.44/Sm2Fe17N3 and Mn54Al46C2.44/Fe65Co35 composites, Journal of the Korean Physical Society 2018, 73(11): 1703-1707

(12) Qian, H. D., Si, P. Z., Choi, C. J., Park, J., Cho, K. M.; Phase transformation and magnetic properties of MnAl powders prepared by elemental-doping and salt-assisted ball milling, Aip Advances 2018, 8(5): 056216

(1) ChulJin Choi; PingZhan Si; JiHoon Park; HuiDong Qian; PCT/KR2018/014025, US011858820B2 (已授权美国专利)

(2) ChulJin Choi; JiHoon Park; HuiDong Qian; 2024-8-9, 10-2021-0072499, 10-2695157 (已授权韩国专利)

(3) ChulJin Choi; PingZhan Si; JiHoon Park; HuiDong Qian; 2020-5-25, 10-2019-0055769, 10-2116993 (已授权韩国专利)

(4) 杨金波; 千辉东; 杨文云; 韩景智; 罗昭初; 王常生; 杜红林; 刘顺荃; 沈鹏 ; 2024-09-13, CN202411285060.2 (已申请中国专利)

(5) 韩景智; 杨金波; 朱涛; 季祥皓; 千辉东; 王元康; 徐庆; 刘顺荃; 王常生; 2024-03-27, CN118398365A (已申请中国专利)

(6) 杨金波; 梁栋; 韩景智; 徐庆; 杨文云; 千辉东; 刘向阳; 陈亮; 2023-11-06, CN117275925A(已申请中国专利)

(7) 赵利忠；千辉东；张昕；张雪峰；2025-10-15, CN02511481164.5 (已申请中国专利)